Аннотация:
Путем исследования температурной зависимости спектров фотолюминесценции, а также люксинтенсивностных характеристик прямозонной, квазипрямозонной и непрямозонной сверхрешеток GaAs/AlAs изучены механизмы температурного гашения фотолюминесценции в таких структурах. Обсуждена модель, согласно которой экситоны в сверхрешетках GaAs/AlAs при низких температурах локализуются на неровностях границ раздела.