RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 1992, том 34, выпуск 11, страницы 3350–3356 (Mi ftt7801)

Температурная зависимость спектров фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs

Д. В. Корбутяк, А. И. Берча, Л. А. Демчина, В. Г. Литовченко, А. В. Трощенко

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Путем исследования температурной зависимости спектров фотолюминесценции, а также люксинтенсивностных характеристик прямозонной, квазипрямозонной и непрямозонной сверхрешеток GaAs/AlAs изучены механизмы температурного гашения фотолюминесценции в таких структурах. Обсуждена модель, согласно которой экситоны в сверхрешетках GaAs/AlAs при низких температурах локализуются на неровностях границ раздела.

УДК: 621.315.592:535.37

Поступила в редакцию: 13.04.1992



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024