Эффект Штарка в области основного состояния экситона серии «$A$» в кристаллах CdS

Наблюдалось смещение экситонных линий $AA_{F}$ и $I_{3}$ в спектрах поглощения монокристаллов сульфида кадмия в длинноволновую сторону при 1.8 K, вызванное внешним постоянным электрическим полем. Во избежание протекания большого электрического тока и связанного с ним разогрева и пробоя кристаллов для эксперимента использовались МДП-структуры на основе CdS. Отклонение наблюдаемого смещения экситонных полос поглощения ($\Delta\varepsilon$) по мере увеличения приложенного электрического поля ($E$) от теоретически ожидаемого объясняется зависимостью распределения напряжения между слоями диэлектрика и полупроводника от величины полной разности потенциалов на МДП-структуре. С учетом поправки на падение напряжения на слое диэлектрика полученная экспериментально зависимость $\Delta\varepsilon$ от $E$ достаточно хорошо согласуется с теоретическими представлениями о квадратичном эффекте Штарка.