Квантовые осцилляции потенциала в электронно-дырочной плазме на поверхности кремния

На коротковолновом краю линии рекомбинационного излучения двумерных электронов и неравновесных дырок на [111]-поверхности кремния в МДП-структурах при высоких уровнях возбуждения обнаружено излучение электронов из дополнительного электронного слоя, формирование которого связано с возникновением квантовых осцилляций потенциала в поверхностной электронно-дырочной плазме.