Аннотация:
С использованием метода ренормализационной группы анализируются высшие порядки теории возмущений по взаимодействию локальных фононов с электронами проводимости в металлах или вырожденных полупроводниках. Логарифмические особенности в электронной собственной энергии при ${E=E_{F}\pm\omega_{0}}$ ($E_{F}$ — энергия Ферми, $\omega_{0}$ — частота фонона), возникающие в низшем порядке, могут как ослабляться, так и усиливаться в зависимости от заполнения зоны проводимости и ангармонического вклада в деформационный потенциал. Рассматриваемые аномалии могут проявляться в туннельных экспериментах, приводя к асимметрии вольт-амперных характеристик. Вычислены также сингулярные вклады в фононную функцию Грина, приводящие к изменению формы линии фононного уровня. Исследована простая точно решаемая модель типа Томонага, позволяющая рассмотреть инфракрасные расходимости в электронной функции Грина без использования теории возмущений.
УДК:
539.2
Поступила в редакцию: 16.01.1986 Исправленный вариант: 26.05.1986