С. М. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST”, Физика твердого тела, 2021, том 63, выпуск 11,страницы 1895

Продолжение публикации материалов семинара в ФТТ N 12/21
Сегнетоэлектричество

Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST

С. М. Афанасьев^a, Д. А. Белорусов^a, Д. А. Киселев^ab, А. А. Сивов^a, Г. В. Чучева^a

^a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Московская обл., Россия
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия

Аннотация: Пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ (BST) синтезированы методом высокочастотного (ВЧ) распыления на буферный слой сегнетоэлектрической пленки состава PbZr$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_{3}$ (PZT). Представлены сравнительные результаты электрофизических свойств трех различных МДМ-структур: Pt/BST/Ni, Pt/PZT/Ni и Pt/PZT-BST/Ni.

Ключевые слова: структуры металл–диэлектрик–металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$, буферный слой, электрофизические свойства.

Поступила в редакцию: 05.07.2021
Исправленный вариант: 05.07.2021
Принята в печать: 07.07.2021

DOI: 10.21883/FTT.2021.11.51594.161