Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена

С помощью методов теоретического моделирования проведено исследование нового перспективного полупроводникового материала – фосфорена – и определены возможности изменения величины и характера его межзонных переходов при воздействии на кристаллическую решетку этого материала сжимающих и растягивающих напряжений. Установлено, что в зависимости от величины и направления воздействия напряжений материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником. Показана возможность применения фосфорена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда.