Создание тонких пленок NbN при комнатной температуре подложки

Методом магнетронного распыления изготовлены тонкие пленки NbN. Пленки изготовлены на сапфировых подложках при температурах 20–300$^\circ$C. Температура перехода в сверхпроводящее состояние для различных образцов в зависимости от температуры подложки при напылении составила 8–14 K. Плотность критического тока jc лежит в диапазоне 0.8–8 MA/cm$^{2}$, что позволяет использовать данные пленки для создания многослойных структур, ввиду отсутствия отжигов, которым подвергается каждый нижележащий слой структур при напылении следующего.