Создание элементов из NbN для логических устройств классических криокомпьютеров

Описан метод, который позволяет снизить критический ток и мощность переключения нанопровода небольшой длины из сверхпроводящего состояния в нормальное за счет встраивания в нанопровод участка нормального металла. Этот эффект обусловлен локальным нагревом сверхпроводящего проводника за счет тепла, выделяемого в нормальном металле. Интегрированное сопротивление создавалась из исходного NbN под действием ионного облучения через маску. Полученные значения мощностей переключения позволяют конструировать многослойные логические элементы без гальванической связи для классических криокомпьютеров.