Термоимпендансметрия нанокристаллитов V$_{2}$O$_{5}$, локализованных в каналах нанопористого стекла

Методами импедансметрии реализована возможность измерения температурной зависимости электропроводности наночастиц на примере малоизученного пентоксида ванадия, синтезированного в наноканалах пористого стекла. Даны оценки ширины запрещенной зоны и величин удельной электропроводности наночастиц полупроводниковой фазы V$_{2}$O$_{5}$. На базе представлений о неподеленных электронных парах и о процессах переноса заряда обсуждаются причины сужения запрещенной зоны V$_{2}$O$_{5}$, локализованного в нанопорах стекла.