Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия

Предложена теоретическая модель релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ типа пленка/подложка с учетом анизотропии кристаллических решеток материалов гетероструктуры. Рассмотрено зарождение дислокаций несоответствия в результате базисного или призматического скольжения в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ с различной ориентацией пленки. Получены зависимости критической толщины $h_{c}$ (толщина пленки, выше которой выгодно зарождение дислокаций несоответствия) от угла $\vartheta$ между полярной осью $c$ и нормалью к плоскости роста пленки для гетероструктур $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$. Показано, что учет упругой константы $C_{14}$ излишен в рассмотренных моделях релаксации в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$.