Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$

Исследованы объемные образцы $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, выращенные методом Чохральского. На основании исследований динамики поглощенного тока и катодолюминесценции было показано, что в образце наблюдается локализация заряда обоих знаков. Продемонстрировано, что локализация электронов приводит к существенному уменьшению интенсивности катодолюминесценции.