ЭПР и люминесценция пористого кремния

Представлены данные исследования ЭПР, фотолюминесценции (ФЛ) и токопереноса в пористом кремнии (ПК) на Si КДБ-0.3 и КЭС-0.01, окисленного термическим изохронным 10 min отжигом на воздухе при температурах $T_{\operatorname{ann}}$ от 20 до 900$^\circ$C, а также в HNO$_{3}$ с целью дальнейшего прояснения природы P$_{b}$-центров безызлучательной рекомбинации. Максимальный квантовый выход ФЛ наблюдался при химическом окислении ПК на кремнии марки КДБ-0.3. Имеет место антикорреляция интенсивности ФЛ и ЭПР $P_b$-центров в интервале $T_{\operatorname{ann}}$ = (20–300)$^\circ$C. Обнаружена немонотонная зависимость интенсивности ЭПР $P_b$-центров от $T_{\operatorname{ann}}$ с минимумом около 700$^\circ$C. Слабая ФЛ ПК с $T_{\operatorname{ann}}$ около 700$^\circ$C при минимуме ЭПР $P_b$-центров означает возникновение с отжигом других центров безызлучательной рекомбинации. Падение проводимости ПК с ростом $T_{\operatorname{ann}}$ связано с распадом волокон Si в ПК на мелкие гранулы, сквозь которые происходит дискретное туннелирование носителей тока.