Модели примесных центров гадолиния в слоистом GaSe

Методами ЭПР и ДЭЯР изучены слоистые кристаллы GaSe $\varepsilon$-типа, легированные гадолинием. Обнаружено шесть новых парамагнитных центров. Установлено, что они представляют собой комплексы, состоящие из Gd$^{3+}$ и положительно заряженного иона щелочного металла (Li$^{+}$ или Na$^{+}$), служащего компенсатором заряда. Такие комплексы изозарядно замещают в решетке GaSe ковалентносвязанные лары Ga$^{4+}_{2}$. Согласно данным ДЭЯР, ион гадолиния расположен в центре слоя, а зарядовый компенсатор в межслоевом пространстве. Определены радиоспектроскопические характеристики центров и детальная структура их ближайшего окружения. Обнаруженное многообразие типов центров объяснено неэквивалентностью узлов галлия в $\varepsilon$-политипе, отличием в природе компенсатора заряда или его различным положением в решетке, а также примесью в некоторых образцах $\gamma$-политипа. Обсуждаются особенности образования комплексных центров в слоистых материалах.