F$^{+}_{2}$-центры в напряженных кристаллах LiF

Исследован эффект сопряженного воздействия механической нагрузки и $\gamma$-радиации на кристаллы LiF при различных температурах (300 K, 77 K). Показано, что одноосное сжатие малодислокационных кристаллов в процессе облучения приводит к увеличению доли агрегатных центров и обеспечивает образование стабильных при комнатной температуре $F^{+}_{2}$-центров. Проанализированы причины, могущие объяснить полученные экспериментальные результаты.