Полупроводниковое латеральное спиновое устройство с электродами из полуметаллического ферромагнетика

В полупроводниковом спиновом устройстве с электродами, сформированными из пленки полуметаллического ферромагнетика Fe$_{2}$NbSn, достигнуты значения спиновой поляризации электронов, инжектированных в полупроводник InSb, $P_{\mathrm{S}}$=4%. Это соответствует максимально возможной $P_{\mathrm{S}}$ для прозрачных контактов полупроводника и ферромагнетика, в котором поляризация $P_{\mathrm{F}}$ = 95%;. Показано, что для эффективной инжекции спин-поляризованных электронов из ферромагнетика в полупроводник необходимо применять ферромагнетик, поляризация электронов в котором 100% или формировать в интерфейсе дополнительный слой с высоким сопротивлением.