Электронная структура кристаллов Be-IV-P$_{2}$ с решеткой халькопирита

Методами теории функционала плотности изучена группа кристаллических соединений типа Be-IV-P$_{2}$, (IV = C, Si, Ge, Sn) со структурой халькопирита. Вычислены и получены равновесные параметры кристаллической решетки зонные структуры спектры полной и парциальной плотности состояний, карты распределения заряда валентных электронов, тензоры диэлектрической проницаемости и эффективных зарядов, а также спектры оптического поглощения.