Влияние внешнего облучения на вольт-амперную характеристику джозефсоновского перехода малых размеров в режиме макроскопического квантового туннелирования

Вычислены амплитуды и ширины всплесков и провалов, возникающих на вольт-амперной характеристике перехода при выполнении резонансных условий ${n\omega=m\pi I/e}$ ($\omega$ — частота внешнего облучения; $I$ — постоянный ток, которым смещен переход; $m, n$ — целые числа). Предсказывается новый эффект — существование пика напряжения, снимаемого с контакта на частоте $\omega$ при выполнении условий резонанса; рассчитаны параметры этого пика.