Кинетика роста трещины при облучении кристалла KCl наносекундным электронным пучком

С высоким временным разрешением изучена динамика прорастания заготовленной трещины во время облучения образца кристалла КСL сильноточным электронным пучком наносекундной длительности. Исследовались образцы размером ${10\times7\times0.5}$ мм, в середине грани которых заготавливалась трещина длиной 1 мм. Под действием одиночного импульса облучения трещина прорастает. Наблюдение за изменением лазерного светового потока, отраженного от поверхности трещины, позволило следить за процессом ее прорастания. Трещина движется неравномерно, чередуя удлинение и остановки. Средние по всем исследованным образцам времена удлинения и остановки совпадают для первых и последующих скачков и равны 2 мкс. Это время совпадает с временем чередования в центре образца максимумов амплитуд растяжения и сжатия волны разгрузки, распространяющейся по образцу после импульса облучения. Следовательно, движение трещины происходит под действием динамических напряжений: она удлиняется при взаимодействии с импульсом растяжения и останавливается при взаимодействии с импульсом сжатия цилиндрической волны разгрузки. Скорость удлинения трещины равна ${(0.8\pm0.2)\cdot10^{3}}$ м/с для пороговой дозы 2 кГр/имп и растет с увеличением дозы.