О природе близкраевого излучения ZnO при комнатной температуре

Изучена экситонная фотолюминесценция оксида цинка в температурном интервале 5–300 K. Проведен анализ формирования контура полосы экситонного излучения при 300 K и возбуждении He-Cd-лазером в спектрах нелегированных кристаллов, порошка марки ОСЧ и тонких ALD-пленок толщиной 4–450 nm. Исследовано влияние процессов фотодесорбции и фотоадсорбции атмосферного кислорода на спектр экситонного излучения порошка ZnO в последовательных циклах смены среды вакуум–воздух при комнатной температуре и непрерывном возбуждении He-Cd-лазером.