Рассеяние электронов и дырок глубокими примесями в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами

Исследовано рассеяние электронов и дырок системой глубоких примесей в полупроводниковых гетероструктурах на основе арсенида галлия с двумя квантовыми ямами в приближении предельно локализованного потенциала при произвольном профиле легирования. Показано, что зависимости вероятностей рассеяния в единицу времени для электронов и дырок от энергии носителя повторяют кусочно-постоянный вид плотности состояний подзон размерного квантования гетероструктуры с учетом вклада интеграла перекрытия волновых функций носителя. Для дырочных подзон с отрицательной эффективной массой вероятности рассеяния в единицу времени у краев подзон имеют сингулярности, характерные для одномерных систем.