Квазистационарные процессы диэлектрической релаксации в тонких поликристаллических пленках PZT

Проведены исследования релаксационных процессов в поликристаллических пленках PZT, сформированных на кремниевых подложках при квазистатическом изменении внешнего электрического поля. Показано, что диэлектрическая релаксация характеризуется, по крайней мере, тремя временами релаксации, зависящими от направления самополяризации в пленке, величины поляризующего поля, а также от температуры отжига пленок PZT.