Эта публикация цитируется в
7 статьях
XXIV Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Сверхпроводимость
Природа псевдощелевой фазы ВТСП купратов
А. С. Москвин,
Ю. Д. Панов Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
Аннотация:
Псевдощелевая фаза ВТСП купратов связывается с формированием системы квантовых электронно-дырочных (EH) димеров типа RVB-фазы Андерсона. Рассмотрена специфическая роль электрон-решеточной релаксации в формировании метастабильных EH-димеров в купратах с
$T$- и
$T'$-структурой. В модели зарядовых триплетов и
$S$ = 1 псевдоспинового формализма введен эффективный спин-псевдоспиновый гамильтониан CuO
$_{2}$ плоскости купрата. В рамках приближения молекулярного поля (MFA) для координатного представления найдены основные MFA-фазы – антиферромагнитный изолятор, волна зарядовой плотности, бозонный сверхпроводник с
$d$-симметрией параметра порядка и две металлические Ферми-фазы, формирующие фазу “странного” металла. Показано, что MFA позволяет в целом правильно описать особенности типичных для купратов фазовых диаграмм. Как и для типичного
$s$ = 1/2 квантового антиферромагнетика, реально наблюдаемые фазы купрата типа зарядового упорядочения и сверхпроводимости отражают “физическое” основное состояние, близкое к MFA-фазам, но с сильно редуцированными величинами локальных параметров порядка.
Ключевые слова:
купраты, электронно-дырочные димеры, псевдощелевое поведение, молекулярное поле.
Поступила в редакцию: 26.03.2020
Исправленный вариант: 26.03.2020
Принята в печать: 02.04.2020
DOI:
10.21883/FTT.2020.09.49759.06H