Р. А. Юсупов, А. А. Гунбина, А. М. Чекушкин, Д. В. Нагирная, С. А. Лемзяков, В. С. Эдельман, М. А. Тарасов, “Квантовый отклик болометра на основе структуры СИНИС с подвешенным абсорбером”, Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 9,страницы 1403

Эта публикация цитируется в 7 статьях

XXIV Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-13 марта 2020 г.
Сверхпроводимость

Квантовый отклик болометра на основе структуры СИНИС с подвешенным абсорбером

Р. А. Юсупов^a, А. А. Гунбина^bc, А. М. Чекушкин^a, Д. В. Нагирная^a, С. А. Лемзяков^de, В. С. Эдельман^d, М. А. Тарасов^a

^a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
^b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
^c Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
^d Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
^e Московский физико-технический институт, Московская облаcть, г. Долгопрудный

Аннотация: Разработаны, изготовлены и экспериментально исследованы в THz диапазоне частот болометры на основе структуры сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник с подвешенным над подложкой поглотителем (абсорбером). В таких структурах, в отличие от ранее исследуемых болометров с абсорбером, находящимся непосредственно на подложке, реализуется болометрический режим работы приемника, т. е. возбуждается более одного электрона на один квант излучения (квантовая эффективность больше 1). В исследуемых болометрах удалось достичь квантовой эффективности 15 электронов на квант излучения с частотой 350 GHz.

Ключевые слова: болометр, болометр на холодных электронах, болометр на основе СИНИС структуры, квантовая эффективность, флуктуационная чувствительность.

Поступила в редакцию: 26.03.2020
Исправленный вариант: 26.03.2020
Принята в печать: 02.04.2020

DOI: 10.21883/FTT.2020.09.49761.11H