Релаксация тока в монокристаллах TlGa$_{1-x}$Dy$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.01; 0.03)

Представлены экспериментальные результаты по исследованию низкотемпературных релаксационных процессов в монокристаллах TlGa$_{1-x}$Dy$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.01; 0.03). С помощью эстафетного механизма переноса заряда, образованного на глубоких ловушках за счет инжекции носителей с контакта, определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы в образцах Ag–TlGa$_{1-x}$Dy$_{x}$Se$_{2}$–Ag: эффективная подвижность заряда, переносимого с помощью глубоких центров; контактная емкость образцов; область сосредоточения заряда в образцах; постоянная зарядки контакта; время пролета носителей заряда через образец.