Природа новых дислокаций в облученных нейтронами кристаллах LiF

На основе анализа особенностей картин травления и их эволюции при сопряженном воздействии на кристалл температурного поля и механической нагрузки показано, что наблюдаемые в отожженных после реакторного облучения кристаллах LiF новые дислокации являются призматическими дислокационными петлями межузельного типа.