Эта публикация цитируется в
4 статьях
Диэлектрики
Парамагнитные антисайт Mn-дефекты в нанокерамике алюмомагниевой шпинели
А. Ф. Зацепинa,
А. Н. Киряковa,
Д. Р. Байтимировa,
Т. В. Дьячковаb,
А. П. Тютюнникb,
Ю. Г. Зайнулинb a Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург
b Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация:
Исследовано влияние структурных и размерных факторов на формирование собственных и примесных парамагнитных центров в нанокерамиках алюмомагниевой шпинели. Исследуемые образцы (с размером зерен
$\sim$ 30 nm) были получены методом термобарического синтеза. В качестве эталонов были использованы микрокристаллическая керамика и монокристалл MgAl
$_{2}$O
$_{4}$. В монокристалле и микрокерамике присутствуют характерные парамагнитные центры Mn
$^{2+}$ (константа сверхтонкой структуры (СТС)
$A$ = 82 G). В исследуемых образцах нанокерамики в исходном состоянии регистрируются как примесные Mn
$^{2+}$ так и собственные
$F^{+}$-центры. В отличие от нанокерамики в эталонных образцах центры типа
$F^{+}$ возникают только после облучения 130 keV ускоренными электронами. Параметры Mn
$^{2+}$ центров в нанокерамике существенно отличаются от таковых в микрокерамике и монокристалле. Для Mn
$^{2+}$-центра в нанокерамике ЭПР сигнал характеризуется двумя аномальными константами СТС (
$A_{1}$ = 91.21 G,
$A_{2}$ = 87.83 G), обусловленными двумя разновидностями октаэдрически координированных ионов марганца (антисайт дефектов [Mn
$^{2+}$]
$_{\mathrm{Al}^{3+}}$. Особенности спектральных параметров марганцевых центров коррелируют с уменьшением параметра решетки MgAl
$_{2}$O
$_{4}$ в наноструктурном состоянии. Наблюдаемые эффекты интерпретируются на основе предположенной схемы зарядовой компенсации [Mn
$^{2+}$]
$_{\mathrm{Al}^{3+}}$ алюминиевым антисайт дефектом и
$F^{+}$-центром.
Ключевые слова:
электронный парамагнитный резонанс, MgAl$_{2}$O$_{4}$, нанокерамика, микрокерамика, сверхтонкая структура, антисайт дефекты. Поступила в редакцию: 16.08.2019
Исправленный вариант: 16.08.2019
Принята в печать: 03.09.2019
DOI:
10.21883/FTT.2020.01.48744.568