Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

Представлены результаты экспериментальных исследований электронных и фотоэмиссионных свойств эпитаксиального слоя GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке SiC/Si(111). Электронная структура поверхности GaN и ультратонкого интерфейса Li/GaN была впервые исследована in situ в условиях сверхвысокого вакуума при различных покрытиях Li. Эксперименты проводились с использованием фотоэлектронной спектроскопии при синхротронном излучении в диапазоне энергий фотонов 75–850 eV. Спектры фотоэмиссии в области валентной зоны и поверхностных состояний и спектры фотоэмиссии из остовных уровней N $1s$, Ga $3d$, Li $2s$ были изучены при различных субмонослойных покрытиях Li. Установлено, что адсорбция Li вызывает существенные изменения в общем виде спектров, вызванные переносом заряда между слоем Li и нижними слоями N и Ga. Установлено, что поверхность GaN имеет преимущественно N-полярность. Показан полупроводниковый характер интерфейса Li/GaN.