S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski, “GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography”, Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 12,страница 2333

Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Полупроводники

GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography

S. N. Rodin^a, V. V. Lundin^a, A. F. Tsatsul'nikov^b, A. V. Sakharov^a, S. O. Usov^b, M. I. Mitrofanov^a, I. V. Levitskii^a, V. P. Evtikhiev^a, M. A. Kaliteevski^c

^a Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia
^b Research and Engineering Center on Submicron Heterostructures for Microelectronics, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
^c ITMO University, St. Petersburg, Russia

Аннотация: A significant difference in the growth mechanism of spatially closed structures of gallium nitride during selective growth in submicron windows with and without penetration into the GaN sublayer was demonstrated. The mechanisms of generation and development of dislocations, their role in the formation of self-organizing coaxial structures were modeled.

Ключевые слова: selective epitaxy, dislocations in GaN, self-organized coaxial structure, MOCVD, FIB.

Поступила в редакцию: 16.07.2019
Исправленный вариант: 16.07.2019
Принята в печать: 24.07.2019

Язык публикации: английский