Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$

Проведено теоретическое исследование влияния упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$. Построены профили состава осевого гетероперехода InAs/GaAs в самокаталитических нитевидных нанокристаллах Ga$_{x}$In$_{1-x}$As. Показано, что ширина гетероперехода InAs/GaAs составляет десятки монослоев и возрастает с увеличением радиуса нитевидного нанокристалла из-за упругих напряжений. Релаксация упругих напряжений на боковых поверхностях нитевидных нанокристаллов при типичной температуре роста (около 450$^\circ$C) и радиусе нитевидных нанокристаллов больше 5 nm не приводит к возникновению области несмешиваемости в системе Ga$_{x}$In$_{1-x}$As.