Влияние электронного облучения на диэлектрические характеристики монокристаллов AgGaSe$_{2}$

Исследовано влияние различных доз электронного облучения на диэлектрическую проницаемость и удельную электропроводность тройных нелинейно-оптических кристаллов AgGaSe$_{2}$ на различных частотах измерительного поля в интервале температур 100–300 K. Обнаружено, что облучение монокристаллов приводит к уменьшению значений диэлектрической проницаемости и значительному возрастанию электропроводности. Показано, что с ростом температуры диэлектрическая проницаемость и электропроводность увеличиваются. Установлено, что для кристаллов AgGaSe$_{2}$ характерно наличие нескольких типов проводимости. Обнаружена существенная частотная дисперсия диэлектрических свойств исследованных кристаллов.