М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства пленок BST 80/20”, Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 10,страницы 1948

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства пленок BST 80/20

М. С. Афанасьев^a, Д. А. Киселев^ab, С. А. Левашов^a, А. А. Сивов^a, Г. В. Чучева^a

^a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Показано влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства сегнетоэлектрических пленок состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ при формировании на кремниевые подложки с подслоем платины. На основе электрофизических и топографических измерений делается вывод о влиянии температуры синтеза сегнетоэлектрических пленок на их свойства.

Ключевые слова: металл-диэлектрик-металл-структуры, сегнетоэлектрические пленки состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$, микроструктура, электрофизические свойства, сканирующая зондовая микроскопия.

Поступила в редакцию: 22.04.2019
Исправленный вариант: 22.04.2019
Принята в печать: 23.04.2019

DOI: 10.21883/FTT.2019.10.48275.463