Аннотация:
Для узких мостиков, сформированных на основе тонкой пленки ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$, экспериментально обнаружено, что при постепенном увеличении дозы ионной имплантации наблюдается необычное уменьшение наклона верхнего критического поля вблизи $T_{c0}$, тогда как обычно рост концентрации дефектов приводит к увеличению локального наклона линии фазового перехода $H_{c2}(T)$. Более того, обнаружено, что температурная зависимость верхнего критического поля обладает положительной кривизной вблизи $T_{c0}$. В работе предложена возможная теоретическая интерпретация описанных результатов. Она основана на модифицированной теории Гинзбурга–Ландау с неоднородной длиной сверхпроводящих корреляций.
Ключевые слова:тонкие пленки ВТСП, резистивные измерения в магнитном поле, ионная имплантация, теория Гинзбурга–Ландау с неоднородной длиной когерентности.
Поступила в редакцию: 15.04.2019 Исправленный вариант: 22.04.2019 Принята в печать: 24.04.2019