Проводимость манганитных пленок под действием напряженности, вызванной деформацией подложки

Представлены результаты исследования электронных транспортных свойств напряженных тонких эпитаксиальных пленок La$_{0.7}$Ba$_{0.3}$MnO$_{3}$ (LBMO). Пленки толщиной 40–100 nm изготавливались с помощью лазерной абляции при температуре $T$ = 700–800$^\circ$C в атмосфере чистого кислорода 0.3–1 mBar. Для создания механического напряжения использовались подложки сегнетоэлектрического кристалла (011) 0.79PbMg$_{1/3}$Nb$_{2/3}$O$_{3}$–0.21PbTiO$_{3}$ (PMN–PT) с температурой Кюри 150$^\circ$C и высокими пьезоэлектрическими постоянными. Исследовалось влияние сегнетоэлектрической поляризации и пьезоэлектрического эффекта на электрические параметры LBMO пленок.