Рассеяние электронов дефектами малого радиуса и сопротивление графена

Рассмотрено рассеяние электронов короткодействующими дефектами в плоском монослойном графене. Использована аппроксимация этого взаимодействия дельтаобразным потенциалом, сосредоточенным на окружности малого радиуса, что обеспечивает подавление нефизических коротковолновых мод. Проанализирован вклад этого рассеяния в сопротивление графена. Полученные результаты находятся в хорошем согласии с экспериментом на подвешенном отожженном монослойном графене. Это дает возможность определения параметров аппроксимирующего потенциала на основе экспериментальных данных о сопротивлении графена, что важно для приложений.