Влияние фокусировки фононов на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах

Исследовано влияние анизотропии упругих свойств на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах. Проанализировано влияние фокусировки фононов на анизотропию теплопроводности. Определены параметры зеркальности отражения фононов от границ гетероструктур, характеризующие тепловой поток в режиме кнудсеновского течения фононного газа. Рассчитаны угловые зависимости длин свободного пробега фононов различных поляризаций, определяющих анизотропию теплопроводность гетероструктур с ориентациями плоскостей $\{100\}$ и $\{110\}$.