А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 3,страницы 433

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Полупроводники

Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов

А. В. Редьков^ab, А. С. Гращенко^ab, С. А. Кукушкин^abc, А. В. Осипов^ab, К. П. Котляр^de, А. И. Лихачев^de, А. В. Нащекин^de, И. П. Сошников^de

^a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^d Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована временна́я эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов. Образцы SiC/Si исследованы методом сканирующей электронной микроскопии, эллипсометрии и конфокальной рамановской микроскопии. Показаны характерные этапы формирования пористого слоя: зарождение одиночных пор, их рост с образованием дендритоподобных структур и последующее срастание в сплошной слой. Продемонстрировано, что толщина пористого слоя на начальных этапах роста пропорциональна корню кубическому из времени. Обсуждаются возможные механизмы формирования пор и предложена теоретическая модель для описания зависимости средней толщины пористого слоя от времени, которая имеет хорошее качественное совпадение с экспериментальными результатами.

Поступила в редакцию: 22.10.2018

DOI: 10.21883/FTT.2019.03.47232.265