Кинетика излучения поверхностных (би) экситонов в тонких пленках ZnO

Исследована кинетика близкраевой фотолюминесценции (ФЛ) в нанометровых пленках ZnO, полученных методом слоевого наслаивания (ALD). Установлено, что кинетика близкраевой ФЛ в 4-nm пленках в большой степени определяется поверхностными 2D-экситонными (SX) и биэкситонными (SXX) комплексами. Вклад поверхностных биэкситонов оценивается на основе фотостимулированного изменения поверхностного потенциала в пленках ZnO различной толщины. Обнаружена ультрабыстрая динамика поверхностных биэкситонов в тонких пленках. Показано, что биэкситоны, локализованные вблизи поверхности, имеют самое короткое излучательное время жизни (менее 100 ps) из всех связанных экситонных комплексов, что объясняется большой силой осциллятора.