Удельное сопротивление неупорядоченных полупроводников при прыжках электрона с участием виртуального зонного состояния

Предложен и исследован механизм прыжка электрона между парой глубоких (некулоновских) доноров с участием двух фононов через виртуальное зонное состояние электрона в зоне проводимости. Показано, что затухание вероятности перехода определяется не радиусом волновой функции донора, а величиной ${a_{0}=\hbar\sqrt{V2m^{*}|\varepsilon_{1}|}}$, где $\varepsilon_{1}$ — энергия донора. Методами теории протекания определена концентрационная зависимость и исследован закон Мотта. Показано, что при аппроксимации температурной зависимости удельного сопротивления функцией вида ${\rho=C\exp(T_{0}/T)^{p}}$ величина $p$ может изменяться в зависимости от температуры и принимает значение ${p=0.4{-}0.45}$.