Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом

Экспериментально исследованы слои полупроводников InAs, InSb и GaSb, сильнолегированных железом в процессе выращивания методом импульсного лазерного нанесения. Установлено, что наилучшими температурами для формирования слоев на подложках GaAs(100) являются 250$^\circ$C (InSb : Fe), 300$^\circ$C (InAs : Fe) и 350$^\circ$C (GaSb : Fe). При высоких концентрациях Fe (более 10 at.%) слои обладают ферромагнитными свойствами, выражающимися в появлении петли гистерезиса на магнитополевых зависимостях сопротивления Холла, отрицательного магнетосопротивления и в некоторых случаях – намагниченности ферромагнитного типа при комнатной температуре измерений. Атомы железа не изменяют тип проводимости слоев; при этом слои InAs : Fe, InSb : Fe обладают проводимостью $n$-типа, а GaSb : Fe – $p$-типа за счет собственных точечных дефектов.