XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 12-15 марта 2018 г. Полупроводники
Влияние плотности энергии лазерного пучка на магнитные свойства тонких пленок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx$ 0.5), приготовленных методом импульсного лазерного осаждения
Аннотация:
Изучено влияние энергии лазерного импульса $E$ на возможность формирования однородной “высокотемпературной” ферромагнитной фазы в пленках сплава Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx$ 0.5), выращенных методом импульсного лазерного осаждения на подложке Al$_{2}$O$_{3}$ (0001). Показано, что высокотемпературная фаза с концентрацией марганца $x\approx$ 0.53 и температурой Кюри $T_C\approx$ 200–300 K образуется вблизи подложки на начальной стадии роста пленок. При этом, большие величины $E\ge$ 6.8 J/cm$^{2}$ способствуют стабилизации этой фазы по всей толщине пленки, в то время как малые значения $E$ = 2.6-5.7 J/cm$^{2}$ приводят к уменьшению концентрации марганца в верхнем слое пленки и формированию дополнительной “низкотемпературной” фазы с $T_C\approx$ 30–50 K, обусловленной кристаллитами силицидов MnSi и Mn$_{4}$Si$_{7}$.