Тепловые импульсы при оптическом возбуждении неравновесных акустических фононов в тонких слоях кремния

Методикой тепловых импульсов [1] при оптическом возбуждении исследовались тонкие слои Si, полученные на [111] подложке кристаллического чистого Si ($c{-}$Si). Обнаружено, что в широком интервале уровней оптического возбуждения форма фононного импульса практически неизменна, что свидетельствует о том, что до детектора значительная часть фононов доходит в виде низкочастотных фононов с длиной свободного пробега 1 см. Обнаружено, что в отличие от слоя аморфного Si, ионно-легированного Si и поверхности $c{-}$Si, при возбуждении слоя легированного эпитаксиального Si до детектора доходят в основном поперечные фононы. Обсуждаются особенности процессов релаксации фононов, влияющие на форму фононных импульсов.