Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме

Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено исследование структуры графеновых слоев, образованных на поверхности Si-грани проводящих и полуизолирующих подложек карбида кремния 6$H$- и 4$H$-SiC(0001) путем термодесорбции атомов Si в высоком вакууме, в зависимости от температуры и времени сублимации атомов Si и способа предобработки поверхности подложек. Регистрация дифракционных картин осуществлялась в кристаллографических направлениях подложек [$\bar1$2$\bar1$0] и [1$\bar1$00]. Установлено, что во всех проведенных экспериментах образование графеновых слоев происходит с разворотом кристаллической решетки графена на 30$^\circ$ относительно решетки SiC.