Аннотация:
Теоретически исследовано двухимпульсное взаимодействие с экситонами и биэкситонами в полупроводниках. Показано, что в условиях действия мощной накачки в области $M$-полосы люминесценции закон дисперсии несущей волны имеет три ветви. Были найдены значения параметров, при которых может наблюдаться пересечение ветвей законов дисперсии, обусловленное вырождением энергии экситонного уровня. Предсказан эффект существенного изменения силы связи между экситоном и фотоном слабого импульса при изменении интенсивности накачки.