Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе

Представлены результаты исследований процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO с помощью атомно-силового микроскопа. Методом рентгеновского микроанализа установлено, что окисленные участки пленки GeO представляют собой диоксид германия. Исследовано влияние длительности импульсов напряжения, прикладываемого к системе зонд-подложка, и влажности воздуха на высоту оксидных структур. Кинетика процесса локального анодного окисления (ЛАО) GeO в полуконтактном режиме подчиняется модели Кабрера–Мотта для больших времен. Начальная скорость роста окисла $(R_{0})$ значительно увеличивается, а время начала окисления $(t_{0})$ уменьшается при повышении влажности воздуха на 20%, что связано с увеличением концентрации кислородсодержащих ионов на поверхности окисляемой пленки GeO. Показана возможность формирования наноструктур в тонких слоях GeO методом ЛАО.