RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2018, том 60, выпуск 4, страницы 734–738 (Mi ftt9238)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Сегнетоэлектричество

Особенности поведения доменной структуры кристаллов BaTiO$_{3}$ в процессе термического нагрева и охлаждения

Д. А. Киселевa, Т. С. Ильинаa, М. Д. Малинковичa, О. Н. Сергееваb, Н. Н. Большаковаb, Е. М. Семеноваb, Ю. В. Кузнецоваb

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Тверской государственный университет

Аннотация: Представлены результаты исследования доменной структуры кристаллов титаната бария в широком температурном интервале, включая точку Кюри $(T_{C})$, поляризационно-оптическим методом в отраженном свете и с помощью силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика. Показано, что в процессе циклического нагревания кристалла выше $T_{C}$ и последующего охлаждения в сегнетоэлектрическую фазу образуется новая a-c доменная структура. Обсуждается роль нескомпенсированных зарядов, возникающих при фазовом переходе на поверхности кристалла и их влияние на формирование доменной структуры в процессе охлаждения.

DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45684.01D


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2018, 60:4, 738–742

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024