Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия

Представлены результаты экспериментального исследования и численного моделирования динамики развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия. Полученные результаты по изменению со временем температуры в канале и протекающего при импульсном нагружении тока и временам перехода из высокоомного состояния в низкоомное и обратно анализируются на предмет определения механизма переключения и прогнозирования функциональных характеристик переключательных оксиднованадиевых структур как перспективных для создания релаксационных генераторов – прототипов нейроосцилляторов. Показано, что переключение связано с фазовым переходом “металл-полупроводник” в диоксиде ванадия, стимулируемым выделением джоулева тепла.