Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния

Методом испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме впервые выращен эпитаксиальный кубический селенид кадмия толщиной 350 nm на кремнии. Установлено, что оптимальная температура подложки в данном методе составляет 590$^\circ$C, испарителя – 660$^\circ$C, время роста – 2 s. Для того чтобы избежать стравливания кремния селеном с образованием аморфного SiSe$_{2}$, на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной $\sim$100 nm. Порошковая дифрактограмма и рамановский спектр однозначно соответствуют кубическому кристаллу селенида кадмия. Эллипсометрический, рамановский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя селенида кадмия и отсутствие поликристаллической фазы.