Аннотация:
Предложена модель быстрого формирования высококонтрастной периодической структуры, возникающей на поверхности полупроводника под действием лазерного излучения. В рамках модели среды с нелинейной диффузией неравновесных носителей (дефектов) рассмотрен процесс вырастания поверхностной структуры за счет взаимодействия поверхностных плазмон-поляритонов, возбуждаемых на неравновесных электронах, с падающим лазерным излучением. Предсказан резонансный эффект сверхбыстрого пико- и субпикосекундного усиления генерируемой на поверхности плазмон-поляритонной структуры, при реализации которого может быть получена высококонтрастная решетка дефектов.
Поступила в редакцию: 31.01.2017 Исправленный вариант: 28.04.2017