Начальные стадии роста пленок титаната бария-стронция на подложке полуизолирующего карбида кремния

Впервые исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на подложках монокристаллического карбида кремния. Выбор подложки, обладающей высокой теплопроводностью, обусловлен возможностью применения данных структур в мощных сверхвысокочастотных устройствах. Определены диапазоны температур, разделяющие механизм поверхностной диффузии осаждаемых атомов от диффузии через газовую фазу при росте многокомпонентных пленок. Исследования показали, что массоперенос посредством поверхностной диффузии приводит к формированию зародышей малой высоты, покрывающих большую часть подложки, тогда как массоперенос атомов через газовую фазу приводит к образованию “столбчатой” островковой структуры с малым процентом покрытия подложки и большей высотой островков.