Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs

Исследованы излучательные и магнитные свойства гетероструктур нового типа с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs. Установлено наличие циркулярной поляризации электролюминесцентного излучения в диапазоне температур от 10 до 160 K. Магнитополевые зависимости степени циркулярной поляризации являются нелинейными с петлей гистерезиса при температурах от 10 до 50 K, при более высоких температурах они становятся линейными. Величина поляризации при насыщении намагниченности GaMnAs в поле 2000 Oe сохраняется на уровне $\sim$0.2%.